【儀器儀表網(wǎng) 新品動態(tài)】近日，TESCAN 宣布推出三款升級FIB-SEM系統(tǒng)：SOLARIS 2、SOLARIS X 2 和 AMBER X 2。這些新系統(tǒng)帶來了全自動 TEM 樣品制備、xian進的失效分析和用于原位電性分析的精密逐層剝離技術(shù)，增強了半導(dǎo)體研發(fā)能力。

　　TESCAN SOLARIS 2：

　　AI 驅(qū)動的 TEM 樣品制備

　　全自動 TEM 樣品制備

　　AI 驅(qū)動的精確控制，以zui小的損傷制備出高質(zhì)量的樣品，支持各種幾何形狀的樣品選擇所需角度切削，包括正切、平面切和倒切樣品薄片。

　　靈活的樣品處理

　　使用 Triglav? SEM 鏡筒，實現(xiàn)高分辨率終點探測，適用于 GAA 和 FinFET 晶體管等xian進器件。

　　用戶友好的操作

　　自動化工作流程減少設(shè)置時間，優(yōu)化系統(tǒng)準(zhǔn)備，確保各經(jīng)驗水平用戶都能高效高質(zhì)量制樣，提高生產(chǎn)力。

　　TESCAN SOLARIS X 2：

　　無鎵污染 TEM 制備和

　　xian進的失效分析

　　大體積失效分析

　　使用 Mistral? 氙離子 FIB 進行深度橫截面切割，可達 1 毫米深度，觸及深層結(jié)構(gòu)。

　　無鎵污染 TEM 樣品制備

　　制備高質(zhì)量的無鎵污染薄片，為xian進封裝應(yīng)用保留樣品完整性。

　　精確的缺陷定位

　　Triglav? SEM 鏡筒能夠?qū)崿F(xiàn)納米級精度，有助于在半導(dǎo)體xian進封裝中缺陷隔離。

　　TESCAN AMBER X 2：

　　精密逐層剝離與原位電性分析

　　均勻、無偽影逐層剝離

　　通過定制的氣體化學(xué)成分如 Nanoflat Chase 和 C-maze 實現(xiàn)一致的結(jié)果，針對 NMOS 和 PMOS 晶體管進行優(yōu)化。

　　原位電性分析

　　掃描電鏡與納米探針的配合，可以在逐層剝離過程中實時診斷電性失效的原因。

　　自動逐層剝離技術(shù)

　　TESCAN Delayering? 軟件自動探測終點，針對特定層進行詳細失效分析。