【儀器儀表網(wǎng) 政策標準 www.skgjg.com】中國科學技術大學稱，國際標準化組織(ISO)正式公布了一個國際標準：“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”。該標準是由中科大丁澤軍團隊為主導制定的。據(jù)媒體報道，該類標準是屬于半導體檢查測量領域由中國為主導制定的國際標準。

　　半導體檢測測量技術對半導體行業(yè)的未來發(fā)展起著尤為重要的作用。現(xiàn)階段，丁澤軍團隊發(fā)展了專業(yè)的用以掃描電子顯微術和表面電子能譜學的MonteCarlo模擬計算方法，并融合了“基于模型數(shù)據(jù)庫”(MBL)方法，明確提出了“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”的ISO國際標準(IS)。

　　標準指定了利用CD-SEM成像表征刻蝕線寬的結構模型及其相關參數(shù)、MonteCarlo模擬模型和成像掃描線計算方法、圖像匹配擬合程序和CD參數(shù)定值法等內容。與傳統(tǒng)意義的方法相比較，該方法可以得出精確的CD值，而且把線寬精確測量從單一參數(shù)擴展到包含結構形貌特征的信息，比較適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案。該標準不但為半導體刻蝕線寬的CD-SEM精確評測明確了行業(yè)標準，也為一般納米級尺寸的其它測量方法給予了參照。